Remplacement inter différentiel

Bonjour Alkim

Pour résumer la polémique porte sur le fait Qu'Electron libre affirme que la sélectivité verticale est assurée dans tous les cas par le 30mA avec un DB 500mA en amont même avec un défaut supérieur à 30mA, ce qui est totalement faux si ce n'est pas un type S, n'importe quel électricien de terrain sait qu'en cas de gros défaut d'isolement, le 30MA saute en même temps que le DB, voir le DB en premier car ils sont souvent plus rapides, ce que Carminas à d'ailleurs précisé aussi.

C'est donc mon point de désaccord.

Bonjour Gedeon

Votre juste remarque initiale a été prise en compte, par la suite dans une longue réponse Electron Libre a dit à un moment ceci

electron libre a écrit:

Vous avez envisagé le DDR à l'origine du type "S" (retard volontaire de l'ordre de 40ms de mémoire, vous me corrigerez) c'est exact qu'avec un tel dispositif, la sélectivité est assurée à 100% dans le cas contraire, le risque de déclenchement simultané est possible (forte probalité)

Et les documents qu'il a ensuite transmis vont dans le même sens. Je pense que tout le monde est donc en fait grosso modo d'accord.

Cordialement

Relisez tout soigneusement, mais si vous le dites ...

Cordialement

Bonjour,

le sujet déviant quelque peut...
Je le verrouille, car la réponse à spray6969 a été apportée.

La passion est grande et entraine parfois des excès.

Mais je vous serais grée de vous respecter et de combattre par note de calcul en lieu et place de nom d'oiseau. Et dans la mesure du possible en ouvrant un nouveau post pour ne pas polluer le sujet initial.

Merci de votre enthousiasme et de votre collaboration.

Cordialement